一种便于调节的单晶炉用上料结构
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉设备应用技术领域，且公开了一种便于调节的单晶炉用上料结构，包括安装台，所述安装台的底部固定连接有接地支架，所述安装台的右侧固定连接有导料管，所述接地支架的左侧顶壁和左侧底壁上均开设有中空槽，底部所述中空槽的内侧卡接有挡盖。该便于调节的单晶炉用上料结构，通过将该设备放置在单晶炉旁且出料管对准进料口，需要输料时启动传输电机使其轴转动带动传导轮动作，而传输带移动并将从中空槽中掉入的料棒进行输送，最终料棒从出料管中倒出并进行单晶炉进料口内，同时该结构可调节上料量，从而有效的解决了现有单晶炉因没有自动上料结构而导致输料过程较为麻烦的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种便于调节的单晶炉用上料结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922388169.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211522366U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
邵化水张会现洪东旭李志强边恒军刘启铎王营涛
申请人 ：
杞县东磁新能源有限公司
申请人地址 ：
河南省开封市杞县葛岗镇楚寨村
代理机构 ：
北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
何东明
优先权 ：
CN201922388169.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
