半导体膜
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。
基本信息
专利标题 ：
半导体膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269972A
申请号 ：
CN201980098054.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2019-09-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福井宏史渡边守道吉川润
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县
代理机构 ：
北京旭知行专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王轶
优先权 ：
CN201980098054.7
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C23C16/40 H01L21/205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/16
申请日 : 20190902
申请日 : 20190902
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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