一种降低电压损耗的键合结构及其制备方法
授权
摘要
本发明的一种降低电压损耗的键合结构及其制备方法，该方法涉及真空中在组成半导体键合结构的两种键合材料表面沉积能够抑制内外原子扩散与保护材料表面晶体结构的保护层，阻止了环境氛围杂质原子在键合表面的吸附，保护了键合材料表面晶体结构，同时抑制了键合材料本身掺杂原子向表面的扩散，降低了表面清洗与活化工艺复杂性与难度，减小了载流子跨越键合界面的势垒，提高了最终器件性能。
基本信息
专利标题 ：
一种降低电压损耗的键合结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111785614A
申请号 ：
CN202010561686.7
公开（公告）日 ：
2020-10-16
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN111785614B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张玮陆宏波李欣益李戈
申请人 ：
上海空间电源研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路2965号
代理机构 ：
中国航天科技专利中心
代理人 ：
胡健男
优先权 ：
CN202010561686.7
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-11-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20200618
申请日 : 20200618
2020-10-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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