一种高热导率的LTCC基板及其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种高热导率的LTCC基板及其制作方法，该基板在IC芯片的下方设置了密封盖板，密封盖板的下部设置有柱状群体，整个密封盖板为高热导率材料，使得芯片的热量通过密封盖板传递至通道中的冷却液中，该结构实现了热源热量快速、有效的传递到流体的传热路径，还实现了基板流体通道与外部流体的循环互联，极大地提高了LTCC基板的散热性能，为大功率SiP电路、射频微波模块电路提供一种主动散热的方法，具有重要的社会效益和经济价值。
基本信息
专利标题 ：
一种高热导率的LTCC基板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111739868A
申请号 ：
CN202010614042.X
公开（公告）日 ：
2020-10-02
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN111739868B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
肖刚郝沄杨宇军袁海陈宁任英哲
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
李红霖
优先权 ：
CN202010614042.X
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/473 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20200630
申请日 : 20200630
2020-10-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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