非易失性存储器装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种具有深N阱的电可擦除可编程的非易失性存储单元及其存储器装置，深N阱可将存储单元与衬底隔离开。该非易失性存储器装置适用于3.3v或更高电压的芯片电路。它包含至少一个非易失性存储单元，被构建在一个P型衬底上，其中每个非易失性存储单元包含：一个深N阱，位于P型衬底中，而且一个N阱和一个P阱位于深N阱中；一个PMOS晶体管位于N阱中，其中该PMOS晶体管包含PMOS栅氧化物；一个NMOS电容位于P阱中，其中该NMOS电容包含NMOS栅氧化物和位于P阱中的N+耦合区；和一个浮栅，该浮栅覆在PMOS晶体管和NMOS电容上；其中PMOS晶体管的栅氧化物位于PMOS晶体管与浮栅之间，NMOS栅氧化物位于NMOS电容与浮栅之间，PMOS晶体管的栅氧化物和NMOS栅氧化物的厚度相同或不同。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373766A
申请号 ：
CN202011102793.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宁丹王明
申请人 ：
成都锐成芯微科技股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府五街200号1号楼A座4楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011102793.X
主分类号 ：
H01L27/11536
IPC分类号 ：
H01L27/11536 H01L27/11548 H01L27/11558 G11C16/24 G11C16/08
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11536
申请日 : 20201015
申请日 : 20201015
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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