太阳能电池或半导体用印刷掺杂浆料
公开
摘要
本发明提供一种太阳能电池或半导体用印刷掺杂浆料，所述浆料含有掺杂剂、硅化合物和溶剂，其中掺杂剂为含有单质硼的掺杂剂，硅化合物使用具有增稠性的气相二氧化硅代替有机增稠剂，扩散后可降低残渣。本发明的掺杂浆料具有优异的稳定性、连续印刷性、较好的阻隔性和高掺杂浓度，可用于整面掺杂或局部重掺杂。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池或半导体用印刷掺杂浆料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446774A
申请号 ：
CN202011186911.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李平徐芳荣藤田阳二
申请人 ：
东丽先端材料研究开发（中国）有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫竹高新技术产业开发区紫月路369号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011186911.X
主分类号 ：
H01L21/228
IPC分类号 ：
H01L21/228 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/228
应用从液相向固体或从固体向液相的扩散法，例如合金扩散工艺方法
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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