一种存储芯片封装结构及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种存储芯片封装结构的制备方法，该方法包括以下步骤：在第一载板上设置第一封装层、第一线路层、第一存储芯片、控制芯片和第二存储芯片；接着在所述第一封装层上设置第二封装层、第二线路层、第三存储芯片、缓存芯片和第四存储芯片；接着在所述第二封装层上设置第三封装层、第三线路层、第五存储芯片和第六存储芯片；接着在所述第三封装层上设置第四封装层、第四线路层、第七存储芯片和第八存储芯片；接着去除所述第一载板，接着在各封装层中形成暴露各存储芯片的背面的多个第一凹槽，并在所述第一封装层中形成暴露所述第一线路层的多个第二凹槽，接着在所述第一、第二凹槽中分别形成散热柱和导电柱。

基本信息

专利标题：

一种存储芯片封装结构及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112366138A

申请号：

CN202011251334.8

公开（公告）日：

2021-02-12

申请日：

2020-11-11

授权号：

CN112366138B

授权日：

2022-04-29

发明人：

秦玲

申请人：

济南南知信息科技有限公司

申请人地址：

山东省济南市历城区北园大街9号荣盛时代国际广场A座707

代理机构：

北京华际知识产权代理有限公司

代理人：

叶宇

优先权：

CN202011251334.8

主分类号：

H01L21/48

IPC分类号：

H01L21/48 H01L21/56 H01L21/60 H01L25/18

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/48

应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器

法律状态

2022-04-29 ：

授权

2022-04-22 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/48
登记生效日 : 20220411
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 济南南知信息科技有限公司
变更后权利人 : 湖南中科存储科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 250000 山东省济南市历城区北园大街9号荣盛时代国际广场A座707
变更后权利人 : 412007 湖南省株洲市天元区黄河北路272号幸福大厦1601（03）室

2021-03-05 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20201111

2021-02-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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