一种DRAM存储芯片三维集成封装结构
授权
摘要
本实用新型公开一种DRAM存储芯片三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述DRAM存储芯片三维集成封装结构包括依次键合的顶层、若干个中间层和底层；其中，底层包括塑封的TSV转接芯片和存储芯片，底层正面形成有n层重布线和凸点，背面制作有粘结层；中间层包括塑封的TSV转接芯片和存储芯片，中间层正面形成有n层重布线和凸点，与底层背面键合；顶层包括塑封的存储芯片，顶层正面形成有n层重布线和凸点，与中间层背面键合。本实用新型通过TSV转接芯片完成每层间的垂直互连，用底填料填充凸点缝隙，增强封装结构强度；使用TSV转接芯片和存储芯片扇出，完成多芯片三维堆叠，其封装成本低，封装效率和良率高，能够适合大规模量产使用。
基本信息
专利标题 ：
一种DRAM存储芯片三维集成封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921834263.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN210379016U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
王成迁
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立秋
优先权 ：
CN201921834263.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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