一种基于HEMT器件的曲面场板结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构，包括栅极、源极及漏极，栅极位于源极及漏极之间，其特征在于，栅极与漏极之间形成有曲面场板结构，其曲面与器件生长方向垂直，通过优化场板结构，可有效抑制HEMT器件的峰值电场，且通过将优化后的场板结构设置在凹槽中，缩短了场板与沟道载流子之间的距离，可进一步有效抑制HEMT器件的峰值电场。本公开还提供了一种基于HEMT器件的曲面场板结构的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种基于HEMT器件的曲面场板结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497198A
申请号 ：
CN202011275474.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张昇魏珂陈晓娟刘新宇
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202011275474.9
主分类号 ：
H01L29/40
IPC分类号 ：
H01L29/40 H01L21/285 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/40
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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