MEMS探针测试基座超精密光刻定位装置
授权
摘要
本发明MEMS探针测试基座超精密光刻定位装置属于精密半导体技术领域；所述MEMS探针测试基座超精密光刻定位装置包括主光源、窗口板、多孔转盘、固定板、凸透镜、保护膜、基板、副光源、棱镜和光电开关；主光路上沿光线传播方向依次设置主光源、窗口板、多孔转盘、固定板、凸透镜、保护膜和基板；副光路上沿光线传播方向依次设置副光源、棱镜和光电开关；本发明MEMS探针测试基座超精密光刻定位装置，通过采用一种全新的光学定位手段，能够在制作探针测试基座的基板上实现亚微米级光学定位。
基本信息
专利标题 ：
MEMS探针测试基座超精密光刻定位装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112327583A
申请号 ：
CN202011365961.4
公开（公告）日 ：
2021-02-05
申请日 ：
2020-11-29
授权号 ：
CN112327583B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
金永斌贺涛丁宁朱伟
申请人 ：
法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区兴浦路200号5#101、102、201、202
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011365961.4
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20201129
申请日 : 20201129
2021-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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