本发明MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法属于精密半导体技术领域；所述MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法首先调整多孔转盘位置，然后将保护膜粘贴或镀膜在基板上，并将基板放置在上表面与凸透镜的焦平面重合的位置，在控制副光源发出平行光，然后驱动多孔转盘转动，每次在第一透光孔转动到矩形透光窗口位置时，控制主光源发光，并由凸透镜汇聚到基板上表面完成光刻定位，最后在多孔转盘转动一周后，完成基板上一排插孔的光刻定位；本发明MEMS探针测试基座超精密光刻定位方法，通过采用一种全新的光学定位手段，能够在制作探针测试基座的基板上实现亚微米级光学定位。