一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法
授权
摘要
一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法,涉及一种芯片测试工艺。测试盒给出50uA、100uA和500uA的反向电流，测试反向电压，并分别记录其反向电压数值为C、A和B；然后测试盒给出1mA的反向电流、10mA的正向电流、100mA的正向电流、1A的正向电流、3A的正向电流、5A的正向电流；计算|A‑B|的绝对值，设其绝对值为D；当数值D大于1时，IV曲线不良当数值D小于1时，IV曲线不存在异常；本发明步骤可快速、自动的对SBD芯片进行全检，降低了在客户端使用时产生曲线异常的概率。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基芯片IV不良曲线的测试筛选方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112698174A
申请号 ：
CN202011420743.6
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
CN112698174B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
郑晓波赵晓非王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202011420743.6
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20201208
申请日 : 20201208
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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