氧化钒刻蚀后的清洗方法
公开
摘要
本发明提供一种氧化钒刻蚀后的清洗方法，清洗方法包括：1)提供衬底，在衬底表面形成氧化钒薄膜和氮化硅薄膜；2)在氧化钒薄膜和氮化硅薄膜上形成图形化的光刻胶；3)使用等离子体刻蚀氮化硅薄膜和氧化钒薄膜，将光刻胶的图形转移到氮化硅薄膜和氧化钒薄膜上，以形成红外吸收图形单元，然后去除光刻胶；4)使用丙酮或者N‑甲基吡咯烷酮清洗残留的光刻胶和刻蚀聚合物，并采用不经过水洗而直接干燥处理的方式对氮化硅薄膜和氧化钒薄膜进行干燥处理。本发明提供了一种氧化钒红外探测器制造过程中的工艺改良方案，使氧化钒刻蚀后清洗效果得到改善，在保证清洗干净的同时又不对氧化钒薄膜造成损伤，从而有效提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
氧化钒刻蚀后的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613662A
申请号 ：
CN202011445112.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许杨
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202011445112.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C11D7/26 C11D7/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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