一种晶圆热处理设备的边缘环及晶圆热处理设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆热处理设备的边缘环及晶圆热处理设备，晶圆热处理设备的边缘环包括：外环、内环以及连接所述内环与外环的侧壁；所述外环具有上表面和下表面；所述侧壁沿所述外环的下表面向下延伸，具有第一侧面和第二侧面；所述内环自所述侧壁的末端沿所述侧壁的径向向内延伸，所述内环用于承载晶圆；其中，所述内环为透光圆环，所述外环与所述侧壁均为不透光圆环。本实用新型可以有效的解决晶圆背部加热的不均匀问题，提高了晶圆边缘加热的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆热处理设备的边缘环及晶圆热处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020022542.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-06
授权号 ：
CN211265419U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
刘佑铭
申请人 ：
芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈敏
优先权 ：
CN202020022542.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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