一种提升金属氧化物薄膜均匀性的磁控溅射腔体
授权
摘要
本实用新型公开了一种提升金属氧化物薄膜均匀性的磁控溅射腔体，包括腔体，安装在腔体上部的驱动装置、磁性件和靶材，置于腔体内的护板、基片和加热器，安装在腔体侧壁的低温泵；驱动装置和磁性件相连接，靶材置于磁性件的下方，基片通过基座压环安装在加热器上并置于护板围成的空间内，护板安装在靶材与加热器之间，还包括腔体混合进气装置、筛形分气装置和转轴，筛形分气装置安装在腔体内部，腔体的侧壁设置总进气口，腔体混合进气装置通过总进气口与筛形分气装置连通，转轴与加热器连接，用于带动加热器上的基片匀速旋转。本实用新型通过设置腔体混合进气装置、筛形分气装置和转轴，提高了气体分布均匀性和金属氧化物薄膜均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种提升金属氧化物薄膜均匀性的磁控溅射腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020319044.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-16
授权号 ：
CN212051630U
授权日 ：
2020-12-01
发明人 ：
巨锦华林晓东
申请人 ：
中科微机电技术（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西三旗昌临813号A1号楼103室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020319044.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/08 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-12-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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