一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构
授权
摘要
本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构，在异质结PECVD载板基体上并排设置、平行分布若干凹槽，每个凹槽通过斜面或者弧形面部位载放硅片，凹槽底部不与硅片接触，硅片与载板接触面积小，减少由于摩擦造成的硅片性能损失，提高异质结电池的转换效率；两侧斜面或者弧形面部位设置若干导气槽，或者在凹槽底部设置若干导气孔，便于取放硅片，防止取放过程中发生碎片，结构简单紧凑，操作方便，稳定可靠；经实践验证，采用本发明适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构制备出的HJT电池,平均光电转换效率较常规载板提高0.2%。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于异质结电池非晶硅沉积的PECVD载板结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020357825.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-20
授权号 ：
CN212934640U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
白焱辉王继磊黄金张娟李高非贾慧君王嘉超
申请人 ：
晋能光伏技术有限责任公司
申请人地址 ：
山西省晋中市榆次区晋中开发区迎宾西街和田商务楼908室
代理机构 ：
镇江京科专利商标代理有限公司
代理人 ：
朱坤保
优先权 ：
CN202020357825.X
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/687 C23C16/54
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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