非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种非共形非晶硅的沉积方法。一种非共形非晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体衬底上经过沟槽刻蚀后，得到有源区目标图形；采用原子层沉积法在所述有源区目标图形表面沉积非共形非晶硅膜，然后进行后续氧化工艺，制成半导体器件。本发明采用原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)代替传统的CVD，利用脉冲供料方式沉积非共形非晶硅膜，解决了现有技术有源区顶部厚度不足、台阶覆盖率无法调节以及硅源受限等问题。
基本信息
专利标题 ：
非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334630A
申请号 ：
CN202011061661.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相遇项金娟杨涛李俊峰王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011061661.7
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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