具有多金属栅结构的HEMT器件
授权
摘要
本实用新型公开了具有多金属栅结构的HEMT器件。该器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极靠近源极侧设置栅电极，栅电极第一层金属X采用电子束蒸发方式沉积，栅电极第二层金属Y采用磁控溅射方式沉积，栅电极第二层金属Y的功函数高于第一层金属X的功函数，无需光刻，栅电极剥离后形成的与(Al)GaN接触的金属结构为Y/X/Y。与(Al)GaN接触的是多金属栅结构，使得电场重新分布，降低了靠近漏极的栅极边缘的电场峰值，提高了器件的击穿电压；同时，较低的栅极边缘的电场峰值减弱了栅极注入电子以形成虚栅效应，降低了器件的电流崩塌，提高了器件的动态性能。
基本信息
专利标题 ：
具有多金属栅结构的HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020366251.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-21
授权号 ：
CN212907750U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
王洪高升刘晓艺胡文龙
申请人 ：
中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
江裕强
优先权 ：
CN202020366251.2
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/47 H01L29/423 H01L21/335
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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