具有挡板结构的半导体器件
公开
摘要
一种半导体器件包括：衬底上的存储器堆叠，所述存储器堆叠包括栅电极、绝缘层和模制层，所述模制层在贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处；沟道结构，在单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构包括具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层包括在所述水平方向上突出的第二突出部。
基本信息
专利标题 ：
具有挡板结构的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446982A
申请号 ：
CN202110663661.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高木世济
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN202110663661.2
主分类号 ：
H01L27/11565
IPC分类号 ：
H01L27/11565 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11582
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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