一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体元件镀膜技术领域，公开了一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置，包括镀膜箱，所述镀膜箱顶部中间位置竖直向下固定连接有气缸，气缸的活塞杆下端面通过轴承固定连接有夹板，位于所述镀膜箱底部中间位置竖直向上固定连接有伺服电机，伺服电机的传动轴杆上端面固定连接有托板，位于所述镀膜箱内腔左侧固定连接有电阻加热板。本实用新型通过根据半导体元件的高度打开相应宽度间距的排热嘴上的阀门，然后对半导体元件的一面进行镀膜；并且电阻加热板发热对半导体元件的镀膜进行烘干，抽风机工作将镀膜箱内的废气和水汽抽吸到净化箱内，并经过活性炭填料进行过滤净化空气并排出。
基本信息
专利标题 ：
一种旋转局部加热式半导体元件镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020579659.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-17
授权号 ：
CN211921680U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
徐宏进
申请人 ：
扬州国润半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市扬州高新技术产业开发区华钢路8号1
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
李朦
优先权 ：
CN202020579659.8
主分类号 ：
C23C14/26
IPC分类号 ：
C23C14/26 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/26
电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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