一种超薄插片式快恢复二极管模块
授权
摘要
本实用新型针对现有技术二极管模块体积有待进一步小型化的问题，提供一种超薄插片式快恢复二极管模块，属于半导体技术领域,包括底板和设置在底板上的外壳，底板和外壳固定连接，底板和外壳之间设有腔体，所述底板上固定连接有至少一组位于腔体内的二极管结构组，所述二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片和陶瓷基板，所述快恢复二极管芯片和陶瓷基板均和底板固定连接，所有快恢复二极管芯片和底板连接的端部的极性均相同，所述陶瓷基板上固定连接有金属片，所述金属片上固定连接有引出电极；所述快恢复二极管芯片背对底板的端部和金属片之间通过若干根跳线连接，所述底板上涂覆有一层阻焊油墨。
基本信息
专利标题 ：
一种超薄插片式快恢复二极管模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020619267.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN211629069U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
王国勇陶伟光朱真君张壮范雯雯
申请人 ：
浙江固驰电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省丽水市缙云县新建镇笕川村笕溪路3号
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
王丰毅
优先权 ：
CN202020619267.X
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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