半导体器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及一种半导体器件，其具有在器件的有源部或部分之间的通道。该半导体器件包括衬底，衬底具有与第二表面相对的第一表面；第一通道，第一通道从第一表面到第二表面延伸通过衬底；聚合物，聚合物在第一通道中；接触焊盘，接触焊盘在衬底的第一表面上；钝化层，钝化层在衬底的第一表面上；第一聚酰亚胺层，第一聚酰亚胺层在钝化层上；以及再分布层，再分布层在第一聚酰亚胺层上，再分布层被电耦合到接触焊盘。本公开的实施例能够减轻由于热膨胀系数不同而造成的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020948172.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN213483736U
授权日 ：
2021-06-18
发明人 ：
栾竟恩
申请人 ：
意法半导体有限公司
申请人地址 ：
新加坡城
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020948172.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-06-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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