一种电子束蒸发台用行星盘结构
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摘要
本实用新型属涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种电子束蒸发台用行星盘结构，现提出如下方案，其包括；它包含支架、支撑臂、一号转轴、行星盘、转轮、二号转轴；所述的支架的上侧设有数个一号螺孔，支架的外壁上固定有数个支撑臂，支撑臂的下侧活动穿设有一号转轴；所述的一号转轴的前端穿过行星盘后，与限位螺母过盈设置，行星盘设于支撑臂的内侧，限位螺母设于行星盘的内侧；所述的行星盘上设有数个硅片通孔；所述的一号转轴的后端穿过转轮后，与限位轮过盈设置，转轮设于支撑臂的外侧；采用轨道滑轮悬挂结构，减小行星盘的震动，防滑防震，避免碎片，行星盘公转加自转使得硅片受热均匀，提高金属膜的均匀性，而且养护操作方便。
基本信息
专利标题 ：
一种电子束蒸发台用行星盘结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021011408.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN212270226U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
马溢华
申请人 ：
无锡芯谱半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市会西路30-34(无锡光电新材料科技园内)
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩璐
优先权 ：
CN202021011408.6
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/30 C23C14/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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