一种大功率集成电路封装结构
授权
摘要
本实用新型提供一种大功率集成电路封装结构，包括封装在塑封体内的芯片、铜合金的引脚层和铜合金的衬底层，所述引脚层和衬底层平行铆接，所述引脚层的底部设有延伸至塑封体外的引脚，所述引脚层上设有芯片开孔，所述芯片固定在芯片开孔内并与衬底层触接，所述芯片的管脚与引脚层的引脚对应相连，所述衬底层的两端设有固定孔，所述衬底层上设有内散热孔，所述塑封体上设有外散热孔，所述外散热孔为微米级网孔。本实用新型可以封装大功率的集成电路芯片，衬底层和封装体上均设有散热孔，散热效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率集成电路封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021016985.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-05
授权号 ：
CN211828743U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
吴斌
申请人 ：
南通鑫晶电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区观音山镇新胜村二组1幢
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021016985.4
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/46 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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