一种芯片用晶圆片金属溅镀设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种芯片用晶圆片金属溅镀设备，包括主体、防护件和支撑件，所述主体的顶端固定有防护件，所述主体的底端固定有支撑件，所述支撑件设置在调节件的顶端，所述调节件的顶端固定有若干组夹紧件，所述防护件包括锁紧螺栓、防护罩和提手，所述防护罩的两侧均开设有与锁紧螺栓适配的螺孔，两组所述锁紧螺栓相向的端部均固定有橡胶块，所述防护罩的顶端固定有提手，所述支撑件包括支板、螺纹柱和螺纹套筒，所述支板的底端的四角处均固定有螺纹柱，四组所述螺纹柱的底端均螺纹连接有螺纹套筒，四组所述螺纹套筒的底端均固定有防滑垫。该芯片用晶圆片金属溅镀设备，能够对主体进行调节，能够对导线或管线进行固定。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片用晶圆片金属溅镀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021189525.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
CN212894949U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
姚继兴
申请人 ：
江苏丽多智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区东富路32号A栋114、115室
代理机构 ：
杭州奇炬知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
贺心韬
优先权 ：
CN202021189525.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/16 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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