极光化学气相沉淀镀膜设备
授权
摘要
本实用新型涉及极光化学气相沉淀镀膜设备，包括有系统控制机架，所述系统控制机架的两侧分别设置有左腔室及右腔室，所述左腔室及右腔室上部均设置有反应室，每个所述反应室的下端设置有反应堆组件，所述反应堆组件的侧壁连接有微波引导组件，所述反应堆组件的下端连接有真空室歧管，所述微波引导组件的一端连接有微波磁控管磁头，所述微波磁控管磁头设置在左腔室及右腔室的底部，使得装置便于对不同量的气体中碳源进行层层处理，从而能够实现对气体中的碳原子以晶体形式沉降在基板上，并形成化学气相沉积CVD生长金刚石材料，与现有技术相比本实用新型大大提高了装置的实用性，更加满足使用者的需求。
基本信息
专利标题 ：
极光化学气相沉淀镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021204099.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-17
授权号 ：
CN212688172U
授权日 ：
2021-03-12
发明人 ：
楊庱明
申请人 ：
上海芯承电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市奉贤区金汇镇金碧路665、685号1幢2447室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021204099.4
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/511 C23C16/52 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2021-03-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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