一种化学气相沉淀装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种化学气相沉淀装置，包括沉淀筒、气体均布件、晶圆布置件；气体均布件呈圆筒状结构，气体均布件的圆筒侧壁内设置有沿圆筒轴向方向延伸的环形均布腔；气体均布件的圆筒内侧壁上均匀设置有若干与环形均布腔相连通的气体均布孔；气体均布件的圆筒外侧壁上设置有与环形均布腔相连通的气体入口管；气体均布件同轴设置在沉淀筒内部，晶圆布置件同轴设置在气体均布件内部。本实用新型中环形均布腔的环形的设计以及其内侧均布的气体均布孔的设计，使反应气体由晶圆布置件3圆周的各个方向扩散至各个晶圆位置处，极大地提升了反应气体的扩散均匀性，从而保证生成薄膜厚度的一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种化学气相沉淀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022389330.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-24
授权号 ：
CN213357741U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
牛新海李志坤
申请人 ：
青岛微弘设备技术有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市城阳区城阳街道前桃林社区居委会南800米
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022389330.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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