传输通道装置及真空镀膜设备
授权
摘要
本实用新型涉及真空镀膜设备领域，具体涉及一种传输通道装置，包括通道本体，通道本体内形成供等离子体通过的A通道，A通道的两端分别构成A入口和A出口，通道本体的内壁上设置有用于吸附等离子体中杂质组分的吸附单元。本实用新型提供的传输通道装置，其在通道本体内形成A通道，等离子体通过A通道一端的A入口进入，并由A通道另一端的A出口输出，通过在通道本体的内壁上设置吸附单元，实现对等离子体中杂质组分的吸附，从而提高效果。另，本实用新型还提供了一种应用上述传输通道装置的镀膜设备，其能够通过提高传输通道装置过滤效果，实现镀膜质量的提高。
基本信息
专利标题 ：
传输通道装置及真空镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021264826.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-02
授权号 ：
CN213357729U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
张心凤
申请人 ：
安徽纯源镀膜科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区永和路99号F栋
代理机构 ：
合肥九道和专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
时理想
优先权 ：
CN202021264826.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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