一种功率器件的高温高浪涌加固封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率器件的高温高浪涌加固封装结构，包括散热器、基板、纳米银焊膏、器件芯片、第一引脚、第二引脚、引线和塑封壳，所述基板置于所述散热器上，所述纳米银焊膏置于所述基板上，所述器件芯片置于所述纳米银焊膏上，所述第一引脚通过所述引线与所述器件芯片键合连接，所述第二引脚与所述基板键合连接，所述散热器、所述基板、所述纳米银焊膏、所述器件芯片、所述第一引脚、所述第二引脚和所述引线置于所述塑封壳内，其中，金属Ag覆于所述器件芯片上。本封装结构具有优良的电性能、热性能，可以承受更高的浪涌电流，有效的提升电流传输能力，提高功率器件芯片的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
一种功率器件的高温高浪涌加固封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021449070.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-21
授权号 ：
CN212277155U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
王成森钱清友李成军吴家健江林华
申请人 ：
捷捷半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市苏通科技产业园区井冈山路6号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王海栋
优先权 ：
CN202021449070.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/48 H01L23/367 H01L23/373 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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