AlGaN基深紫外LED外延片
授权
摘要
本实用新型公开了AlGaN基深紫外LED外延片，其中，所述AlGaN基深紫外LED外延片包括：碳化硅衬底、沉积在所述碳化硅衬底上的Ag层、生长在所述Ag层上的AlN缓冲层、生长在所述AlN缓冲层上的AlGaN缓冲层、生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层、生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层、生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层、生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层和生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜。本实用新型无需采用剥离工艺，外量子效率得到大幅提升；能减少位错的形成，提高了载流子的辐射复合效率，可得到高导热、高导电、高发光性能深紫外LED；深紫外LED电流分布更加均匀，提高出光效率，同时具有良好的散热能力。
基本信息
专利标题 ：
AlGaN基深紫外LED外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021484612.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN212323022U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
高芳亮杨金铭
申请人 ：
深圳市昂德环球科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
武志峰
优先权 ：
CN202021484612.X
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/00 H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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