一种GaAs基DBR外延材料结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提供一种GaAs基DBR外延材料结构，涉及半导体制造技术领域。该结构包括：GaAs衬底；在衬底上的缓冲层；在缓冲层上的AlGaAs过渡层；在过渡层上的AlGaAs/GaAs系DBR层；过渡层为Al组分从第一值至第二值渐变的AlxGa1‑xAs渐变层，第一值小于第二值，DBR层中的前至少一对AlGaAs/GaAs层的Al组分值大于第二值。通过在缓冲层上设置渐变层，使得用于生长DBR层的表面的晶格常数从GaAs过渡为具有第二值组分的AlGaAs的晶格常数，从而能够实现DBR层的应力平衡，大幅降低甚至消除生长DBR层时导致的外延片翘曲。
基本信息
专利标题 ：
一种GaAs基DBR外延材料结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020540978.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-14
授权号 ：
CN211789981U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
郭帅冯巍
申请人 ：
新磊半导体科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020540978.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2021-12-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01S 5/183
变更事项 : 专利权人
变更前 : 新磊半导体科技（苏州）有限公司
变更后 : 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
变更后 : 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
变更事项 : 专利权人
变更前 : 新磊半导体科技（苏州）有限公司
变更后 : 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
变更后 : 215151 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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