非极性AlGaN基深紫外LED外延片
授权
摘要
本实用新型公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片，包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜，本实用新型所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳。
基本信息
专利标题 ：
非极性AlGaN基深紫外LED外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022122249.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN212323021U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
高芳亮杨金铭
申请人 ：
深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
武志峰
优先权 ：
CN202022122249.3
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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