一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法，所述LED外延片从下往上依次生长N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N型限制层、N侧空间层、发光有源层、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型过渡层、P型欧姆接触层；在所述N型电流扩展层之前，预先生长一层N型过渡层；所述N型电流扩展层从下往上依次生长有超低速N型电流扩展层、低速N型电流扩展层、中速N型电流扩展层、高速N型电流扩展层。本发明的940nm反极性红外LED外延片表面干净光亮，同时保证了产品各光电参数性能稳定，有效地提高了外延片的产能和良率。
基本信息
专利标题 ：
一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335276A
申请号 ：
CN202210227881.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
CN114335276B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
王苏杰董耀尽林晓珊杨祺宁如光熊欢
申请人 ：
南昌凯捷半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
石红丽
优先权 ：
CN202210227881.5
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/02 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
