基于MIM电容及多对肖特基二极管的太赫兹三倍频器
授权
摘要
本实用新型是基于MIM电容及多对肖特基二极管的太赫兹三倍频器,由波导转悬置线探头、输入低通滤波器、非线性二极管对平衡结构、MIM电容、电感线圈、悬置线转波导探头及T型腔体等结构组成。波导转悬置线探头用于输入端信号源以及输出端输出波导转换连接，信号源通过低通滤波器滤波，输出信号源经过肖特基二极管对平衡结构中心耦合，产生具有三倍谐波的非线性波；肖特基二极管对采用多对反向并联结构,抑制偶次谐波并提高耐功率高电压性能。二极管偏置电压VDD端添加MIM电容接地及电感，分流交流信号，降低偏置电压干扰，放置倍频器腔体采用T型结构，降低悬臂梁使用，降低噪声干扰。该种三倍频器结构有稳定性好、高倍频效率、低噪声等特点。
基本信息
专利标题 ：
基于MIM电容及多对肖特基二极管的太赫兹三倍频器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021533937.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN212909439U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
李烁星胡彦胜张萌黄泽刚
申请人 ：
航天科工通信技术研究院有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市成华区崔家店75号
代理机构 ：
南京钟山专利代理有限公司
代理人 ：
徐博
优先权 ：
CN202021533937.2
主分类号 ：
H03B19/16
IPC分类号 ：
H03B19/16
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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