半导体二极管生产用扩散炉匀气板
授权
摘要
本实用新型属于半导体二极管加工应用设备领域，涉及扩散炉，尤其涉及一种半导体二极管生产用扩散炉匀气板。包括用于设置在扩散炉炉管内的匀气板本体，所述匀气板本体呈圆盘状设置，所述匀气板本体的一侧设置有底座，所述底座呈弧形板状设置，所述底座与扩散炉炉管的内壁贴合设置，所述匀气板上设置有匀气孔，所述匀气孔均匀的分布在匀气板上。本实用新型通过提供一种半导体二极管生产用扩散炉匀气板，利用匀气板本体的设置，有效实现了对高压小截面气流的阻挡，通过匀气孔的设置，使气流得到均匀的分散，进而提高扩散气氛均匀性，达到改善产品均匀性及质量的提升的目的。
基本信息
专利标题 ：
半导体二极管生产用扩散炉匀气板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021712787.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN212412016U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
魏兴政李浩
申请人 ：
济南兰星电子有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市章丘区明水街道赭山工业园
代理机构 ：
济南誉琨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
晏达峰
优先权 ：
CN202021712787.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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