镂空掩膜版

授权

摘要

本实用新型提供一种镂空掩膜版，所述镂空掩膜版设有贯通其上下表面的镂空图形区，所述图形区的形状至少为LED芯片的电流阻挡层、透明导电层、电极、保护层、布拉格反射层和连接电极中一种的图案形状。通过在镂空掩膜版上形成镂空的LED各层图案的图形区，使得LED芯片各层能直接通过镂空掩膜版在LED上沉积或刻蚀形成，从而省去了常规流程中的涂覆光刻胶、曝光显影、图形转移、清洗去胶等多个步骤，避免了上述常规工艺流程中易出现的诸如光刻缺陷、清洗不净、金属腐蚀等异常问题，在简化了工艺流程步骤的同时，提高了LED芯片的良率和品质可靠性。

基本信息

专利标题：

镂空掩膜版

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021734310.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-18

授权号：

CN212848466U

授权日：

2021-03-30

发明人：

不公告发明人

申请人：

聚灿光电科技（宿迁）有限公司

申请人地址：

江苏省宿迁市经济技术开发区东吴路南侧

代理机构：

苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

沈晓敏

优先权：

CN202021734310.3

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L33/38 C23C14/04 C23C14/18 C23C14/24