激光退火装置
授权
摘要
本实用新型涉及激光退火装置。激光退火装置具备：光源，其射出连续振荡的激光；以及光学头，其将从光源射出的各个激光加工成为收敛的激光束，激光束能够对应地投影到位于栅极线的上方的改质预定区域内，光学头在激光束中最收敛的点部位于改质预定区域的非晶硅膜的膜内部的状态下，在改质预定区域内沿着栅极线延伸的方向相对性地扫描激光束。
基本信息
专利标题 ：
激光退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021814163.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN213366530U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
小杉纯一杨映保
申请人 ：
株式会社V技术
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄志华
优先权 ：
CN202021814163.0
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/324 H01L21/02 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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