一种换热装置和单晶炉
授权
摘要
本实用新型提供了一种换热装置和单晶炉，用于生长单晶硅棒，包括：换热筒，所述换热筒在靠近熔硅液面的一端设置有导流部，所述导流部的内壁与所述换热筒的中心轴成预设夹角，所述导流部的横截面积小于或等于所述换热筒的横截面积；所述导流部的内壁上设置有导流通道，所述导流通道从所述换热筒的内部向所述熔硅液面延伸，在本实用新型中，熔硅液面的结晶潜热散发的速度较快，可以为单晶硅棒营造良好的生长环境，使得单晶硅棒快速稳定生长，降低单晶硅棒的制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种换热装置和单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021876745.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
CN214244666U
授权日 ：
2021-09-21
发明人 ：
杨登文冉瑞应杨东党俊佳贾祯盛燕金雪罗忠武
申请人 ：
银川隆基硅材料有限公司
申请人地址 ：
宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵娟
优先权 ：
CN202021876745.1
主分类号 ：
C30B15/22
IPC分类号 ：
C30B15/22 C30B29/06 F28D21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制
法律状态
2021-09-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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