一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；其特征在于，所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个或多个反向串联的多晶硅pn二极管结构，作为器件的栅保护结构。本实用新型通过在芯片上集成栅保护器件，当器件的栅极电压超过最大允许电压时，栅保护器件发生击穿，使栅源电压钳位在最大允许的电压，保护了MOS栅介质避免承受高的电压。
基本信息
专利标题 ：
一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022112680.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
CN213212164U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
倪炜江
申请人 ：
芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202022112680.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-08-13 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/02
登记生效日 : 20210730
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）
变更后权利人 : 安徽芯塔电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1
变更后权利人 : 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804层
登记生效日 : 20210730
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 芜湖启源微电子科技合伙企业（有限合伙）
变更后权利人 : 安徽芯塔电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1
变更后权利人 : 241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804层
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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