一种光电探测芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种微机电光电探测芯片，该微机电光电探测芯片包括：内芯片，内芯片用于吸收预设波长光信号，并将预设波长光信号转换为对应的电信号；光学增透膜层，位于内芯片的光信号接收表面侧，用于透射预设波长光信号，并阻挡非预设波长光信号的透射；滤光保护层，位于光学增透膜层远离内芯片一侧的表面，用于透射预设波长光信号，并保护内芯片。本实用新型提供的技术方案，提高了微机电光电探测芯片的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种光电探测芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022199086.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN213842430U
授权日 ：
2021-07-30
发明人 ：
李萍萍胡维
申请人 ：
苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW-09楼501室
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
胡彬
优先权 ：
CN202022199086.9
主分类号 ：
G01J5/12
IPC分类号 ：
G01J5/12 G01J5/08 B81B7/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/12
用热电元件，例如热电偶
法律状态
2021-07-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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