半导体封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域，包括一基板及至少一设置在所述基板上的芯片，所述基板上至少设置有一呈环状的粘接座，所述粘接座与芯片一一对应设置，所述粘接座的至少一侧壁上开设有漏浆缝，在所述粘接座中填入银浆，然后将芯片放入粘接座中，多余银浆从漏浆缝排出。本实用新型提供的半导体封装结构，在填银浆时，直到银浆从漏浆缝中少量漏出才放入芯片，避免银浆过少，造成芯片与基板之间产生空洞，影响产品性能。并且通过设置漏浆缝，多余银浆从漏浆缝排出，防止银浆过多造成爬胶过高，防止芯片被污染，保证产品质量。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022435797.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN213124417U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
陈其祥宋娟刘中焱冉崇胜邓玉仓
申请人 ：
中芯先进半导体（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区玉塘街道田寮社区同观路泰嘉乐科技工业园1栋1001
代理机构 ：
深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗炳锋
优先权 ：
CN202022435797.1
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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