用于晶片重叠测量的片上传感器
公开
摘要
一种传感器装置包括传感器芯片、照射系统、第一光学系统、第二光学系统和检测器系统。照射系统耦合到传感器芯片并且沿着照射路径透射照射光束。第一光学系统耦合到传感器芯片并且包括第一集成光学配置以配置照射光束并且将其朝向衬底上的衍射目标透射，与传感器芯片相邻设置，并且生成信号光束，该信号光束包括由衍射目标生成的衍射级子光束。第二光学系统耦合到传感器芯片并且包括第二集成光学配置以收集信号光束并且将其从传感器芯片的第一侧朝向第二侧透射。检测器系统被配置为基于由第二光学系统透射的信号光束来测量衍射目标的特点。
基本信息
专利标题 ：
用于晶片重叠测量的片上传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303100A
申请号 ：
CN202080060542.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·斯维拉姆S·鲁T·M·T·A·M·埃拉扎雷A·J·登博夫
申请人 ：
ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
赵林琳
优先权 ：
CN202080060542.1
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G02B6/02 G02B6/122 G02B6/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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