半导体装置和半导体系统

实质审查的生效

摘要

提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。

基本信息

专利标题：

半导体装置和半导体系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114514615A

申请号：

CN202080064681.1

公开（公告）日：

2022-05-17

申请日：

2020-07-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

冲川满樋口安史松原佑典今藤修四户孝

申请人：

株式会社FLOSFIA

申请人地址：

日本京都

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司

代理人：

刁兴利

优先权：

CN202080064681.1

主分类号：

H01L29/24

IPC分类号：

H01L29/24 H01L29/47 H01L29/06 H01L29/872

法律状态

2022-06-10 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/24
申请日 : 20200715

2022-05-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载