半导体装置和包括半导体装置的电子系统
公开
摘要
公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：多个栅电极，其位于衬底上，以在竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，其穿过多个栅电极并且在竖直方向上延伸；串分离绝缘层，其穿过最上面的两个栅电极，并且在第一水平方向上延伸；多个位线接触件，其位于多个沟道结构上；以及多条位线，其位于多个位线接触件上。多条位线中的每一条包括：第一区段，其在第二水平方向上延伸；第二区段，其在第一水平方向上与第一区段间隔开，并且在第二水平方向上延伸；以及第一弯曲部分，其将第一区段连接至第二区段，并且相对于第二水平方向以约20度至约70度的倾角延伸。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和包括半导体装置的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582882A
申请号 ：
CN202111430071.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金俊亨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111430071.1
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11568
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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