半导体装置和包括半导体装置的电子系统
公开
摘要
公开了半导体装置和电子系统。该半导体装置包括衬底上的栅极堆叠结构、在衬底上在第一方向上延伸并且将栅极堆叠结构分离的分离结构、以及穿透栅极堆叠结构的竖直结构。每个栅极堆叠结构包括单元介电层和包括上电极的电极、在电极与单元介电层之间延伸的阻挡层、在第一方向上延伸并且穿透上电极以将每个上电极分离成在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开的段的分离介电图案、以及分离介电图案与上电极之间的封盖图案。封盖图案位于每个上电极的侧壁上，并且在垂直于衬底的顶表面的第三方向上彼此间隔开。每个封盖图案位于阻挡层的侧壁上。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和包括半导体装置的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613781A
申请号 ：
CN202111454794.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金成吉金廷奂延国贤
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111454794.5
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11556
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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