半导体故障解析装置
公开
摘要
本发明的半导体故障解析装置(1)具备：测试器(2)，其对半导体器件(100)施加刺激信号；光源(3)，其产生照射于半导体器件(100)的照射光(L1)；固体浸没式透镜(4)，其配置于照射光(L1)的光路上；光检测部(5)，其接受反射光(L2)，并且输出对应于反射光(L2)的检测信号；光学系统(6)，其配置于光源(3)与固体浸没式透镜(4)之间，经由固体浸没式透镜(4)对半导体器件(100)出射照射光(L1)，且配置于固体浸没式透镜(4)与光学检测部(5)之间，将经由固体浸没式透镜(4)而接受的反射光(L2)出射至光检测部(5)；及计算机(7)，其利用检测信号获得与半导体器件(100)的故障部位相关的信息。光源(3)出射中心波长为880nm以上且980nm以下的照射光(L1)。固体浸没式透镜(4)由GaAs形成。
基本信息
专利标题 ：
半导体故障解析装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616475A
申请号 ：
CN202080074955.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
活洲政敬荒田育男伊藤能弘石塚利道
申请人 ：
浜松光子学株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨琦
优先权 ：
CN202080074955.5
主分类号 ：
G01R31/265
IPC分类号 ：
G01R31/265 G01R31/302 G01N21/41 G01N21/59 G01N25/72
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/265
••无触点测试
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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