非易失性存储器及其电压校准方法

授权

摘要

本申请公开了一种非易失性存储器的电压校准方法。非易失性存储器包括多个存储单元以及用于控制所述多个存储单元的操作的内部控制电路。该方法包括：由所述内部控制电路将接收到的用于校准所述读取电压的数据写入到所述多个存储单元中；由所述内部控制电路，通过目标电压读取所述多个存储单元中的所述数据而获得目标误码率，所述目标电压是从多个电压中依次选出的；以及由所述内部控制电路将多个误码率中最小的误码率所对应的电压确定为读取电压，其中所述目标误码率是所述多个误码率中的一个。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器及其电压校准方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112685213A

申请号：

CN202110013230.1

公开（公告）日：

2021-04-20

申请日：

2021-01-06

授权号：

CN112685213B

授权日：

2022-04-29

发明人：

周星周第廷黄雪青陈少波李萌

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

吴京顺

优先权：

CN202110013230.1

主分类号：

G06F11/07

IPC分类号：

G06F11/07 G11C29/02 G11C29/50 G11C16/34