一种碳化硅晶锭的初步筛选方法及装置
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摘要

本发明提供了一种碳化硅晶锭的初步筛选方法及装置,该方法包括以下步骤:(1)对碳化硅晶锭的表面进行打磨或切割处理,得到透明或半透明的碳化硅晶锭;(2)利用紫外光源照射碳化硅晶锭,得到碳化硅晶锭的透光波长,比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小判断微管密度或包裹体密度是否合格,筛选获得微管密度或包裹体密度合格的碳化硅晶锭,进行下一步的操作;所述标准颜色波长是微管和包裹体密度均合格的标准碳化硅晶锭用同一紫外光源照射后具有的透光颜色波长的范围。通过对碳化硅晶锭打磨切割处理后,提高了可视化程度,且利用紫外照射,筛选获得微管密度或包裹体密度合格的碳化硅晶锭,提高了初筛的准确性,降低了后续加工和检测的工作强度。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅晶锭的初步筛选方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112899788A
申请号 :
CN202110050329.9
公开(公告)日 :
2021-06-04
申请日 :
2021-01-14
授权号 :
CN112899788B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
李帅黄长航赵建国李函朔
申请人 :
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 :
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 :
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
冯妙娜
优先权 :
CN202110050329.9
主分类号 :
C30B33/00
IPC分类号 :
C30B33/00  C30B29/36  B24B19/22  B28D5/02  B07C5/34  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2022-04-08 :
授权
2021-06-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/00
申请日 : 20210114
2021-06-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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