二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用
授权
摘要
本发明公开了二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用，其晶相结构为锐钛矿相结构，(131)晶面的透射电子显微镜高分辨率图谱中，相邻(101)晶面之间的距离均为其制备方法为：将金属钛反应溅射为沉积态二氧化钛薄膜，将沉积态二氧化钛薄膜退火处理为锐钛矿二氧化钛薄膜，获得的锐钛矿二氧化钛薄膜即为目标产物二氧化钛半导体薄膜。本发明提供的二氧化钛半导体薄膜具有更高的光电流密度，从而具有更好的光电催化效率。
基本信息
专利标题 ：
二氧化钛半导体薄膜及制备方法与其在光电催化中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113136601A
申请号 ：
CN202110402042.8
公开（公告）日 ：
2021-07-20
申请日 ：
2021-04-14
授权号 ：
CN113136601B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
宋安刚朱地赵保峰关海滨徐丹王树元冯翔宇
申请人 ：
山东省科学院能源研究所
申请人地址 ：
山东省济南市历下区科院路19号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
王磊
优先权 ：
CN202110402042.8
主分类号 ：
C25B11/077
IPC分类号 ：
C25B11/077 C25B11/087 C25B1/04 C25B1/55 C23C14/08 C23C14/34 C23C14/58
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B11/077
化合物为非贵金属氧化物
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-08-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 11/077
申请日 : 20210414
申请日 : 20210414
2021-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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