排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法
公开
摘要
一种排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法，排除环用在处理腔室，例如化学气相沉积腔室中以处理半导体基材。排除环包括第一对准结构，在晶圆的处理期间，第一对准结构与晶圆将放置的平台上的第二对准结构相配合。第一队准结构包含导引面，导引面促进第二对准结构在第一对准结构内的接收和定位。另提供排除环的使用方法。
基本信息
专利标题 ：
排除环、化学气相沉积机台及将于其上放置排除环的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622186A
申请号 ：
CN202110521761.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-05-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈明毅吴昕璘戴遥烽戴培原陈志伟周银铜纪元兴林生元
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110521761.1
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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